V-NAND 256Gb
Há uma necessidade crescente no mercado de dispositivos de armazenamento maiores e mais rápidos, e como diz o ditado, “o pássaro madrugador pega o worm”.
Samsung planeja ficar à frente do jogo com seus mais recentes chips de memória V-NAND 256Gb de 96 camadas , o que aumentará o nível da memória flash 3D NAND.
Os chips de memória V-NAND 256Gb de quinta geração da Samsung são os primeiros no setor a explorar a interface “Toggle DDR 4.0”, que atua como uma rodovia de alta velocidade para dados que viajam a uma velocidade de até 1,4 Gbps entre armazenamento e memória.
Isso representa um aumento de 40% em relação à oferta V-NAND 256Gb anterior de 64 camadas da empresa. Outros aprimoramentos de desempenho incluem a redução da velocidade de gravação de dados para 500μs, uma melhoria de 30% em relação à geração anterior de chips de memória V-NAND 256Gb e o tempo de resposta para ler sinais para 50μs.
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No entanto, o aumento no desempenho é apenas a ponta do iceberg. Os novos chips de memória V-NAND 256Gb de 96 camadas são também mais eficientes em termos energéticos, apresentando uma tensão de operação de 1,2V em vez dos 1,8V do chip anterior de 64 camadas.
A fim de alcançar todas as melhorias acima mencionadas, a Samsung empilhou mais de 90 camadas de células de captura de carga 3D (CTF) na forma de uma pirâmide para o chip de memória V-NAND 256Gb de quinta geração.
Cada camada apresenta orifícios microscópicos que são invisíveis ao olho humano. No entanto, os furos de canal contêm mais de 85 bilhões de células CTF capazes de armazenar até três bits de dados cada.
Este método de fabricação é o produto de muitos avanços surpreendentes, incluindo projetos de circuitos avançados e novas tecnologias de processo.
A Samsung não se debruçou sobre detalhes, mas a empresa alega que os aprimoramentos no processo de deposição de camadas atômicas do V-NAND 256Gb permitiram aumentar a produtividade de fabricação em mais de 30% e reduzir a altura de cada célula em 20%.
A Samsung planeja trazer seus chips de memória V-NAND 256Gb de 96 camadas para os mercados o mais rápido possível.
Inicialmente, a empresa irá lançá-los no chip TLC de 256Gb (três bits por célula) com um chip QLC de 1Tb (quatro bits por célula) maior, mais adiante.
Fonte: Tomshardware
